2013年，随着智能机平板市场继续走热，以NAND Flash为核心的各类存储器件缺货严重，存储器件的供应在2013年将一直呈现缺货势态吗？2013年智能机平板电脑超极本平台厂商发力重点在哪里？如何实现差异创新？透过第二届NAND Flash应用高峰论坛，本土存储器件领军企业BIWIN汇聚产业链上下游力量，共同应对存储挑战，推进智能机平板创新。

图1 高峰论坛现场

本次高峰论坛与2012年首届高峰论坛一样，以NAND Flash应用为核心，聚合了智能手机、平板电脑和超极本产业链上下游厂商，参与演讲嘉宾分别来自集邦科技、东芝、博通、Marvell、英特尔、华为、瑞芯微、深圳品网科技和BIWIN集团，他们分别分析了存储器件市场走势与技术发展趋势、智能手机平板电脑超极本平台发展趋势，分享了差异创新的思路，300多位参会观众深感受益匪浅。

2013年，存储器件会整年缺货吗？该如何应对？

图2  BIWIN集团董事长孙日欣认为存储器件不会整年处于缺货状态

2013年以来，智能手机、平板电脑厂商都或多或少遭遇存储器件缺货，甚至有人断言2013年整年存储器件都将缺货，对此，BIWIN集团董事长孙日欣指出：“存储器件目前已成智能手机平板电脑关键组件，直接关系整机的成本，而纵观Flash的发展，其每次工艺的变化都会带来新的应用商机，能最早解决新产品应用的企业，无疑会为公司带来更好的利润。BIWIN认为存储器件在2013年的长期短缺不太可能，不过上半年可能会经历比较大的缺货。”

集邦科技记忆体与存储事业部协理杨文得在《2013 NAND Flash市场展望》演讲中指出，从供需来看，2013年全球闪存市场营收会增长25亿美元，达到250亿美元规模，同时，研究显示，2013年的闪存供需基本平衡，供应增长还略高于需求2个百分点。

图3  2013年 NAND Flash市场供需分析

但是，为什么在终端应用市场，存储器件会有如此大的波动呢？孙日欣分析这是因为终端发展速度远远高于存储器件的产能增长，“智能机平板电脑市场今年的增长可能会达到200%，而Flash产能扩增也就是30%左右，这中间的差距太大了，导致市场供需失衡。”他指出，“目前，三星基本自己供应自己的产品，只有东芝和美光对外供应，所以虽然宏观上平衡，但到微观市场出现失衡。”

图4 闪存市场三国争霸局面

杨文得指出，目前闪存市场是三国争霸局面，由于闪存工艺升级很快，厂商需要投入大量的财力维持产能，去年闪存价格一直处于下跌，生产厂商苦不堪言，厂商需要基本的利润维持，所以东芝还将产能调低30%，由此看来，2013年的存储供应短缺将呈现常态化，他预测今年第三季第四季还将出现供不应求的局面。

不过，作为本土eMMC和eMCP主要供应商，孙日欣认为由于BIWIN和全球两大Flash供应商东芝和美光保持着长久紧密的合作，是其最重要的客户，而且BIWIN早已制定了应对短缺的策略，所以，BIWIN的eMCP和eMMC产能相对充足，可以确保供应。“我们的eMCP 是国内第一个量产的，目前已经在和多个手机平台进行配套验证，很快采用我们eMCP 的智能手机就要面市了。”孙日欣强调。“我们刚和东芝高层进行了接触，在供应方面可以有保障。”

孙日欣透露，BIWIN已经在研发最新的POP封装技术，会把存储器件和更多其他器件封装在一起，这样可以为最新的小型化设备如类似iWatch、可穿戴式设备提供支持。“我们会不断投资新技术，关注新技术的发展，努力保持技术领先性。”孙日欣表示。“BIWIN举办此次高峰论坛的初衷也是希望通过这样的论坛为系统厂商设计人员带来思维的冲击和价值的参考，也希望通过这次论坛推动产业链的升级。“对于本土企业来说，做低端只能糊口做高端才能发展，不能总在垃圾中找吃的。”他精辟地概括。

Nand Flash与DRAM技术未来将如何发展？

图5  东芝半导体技术统括部存储应用技术经理康敏宣分析NAND Flash未来发展

如今半导体技术飞速发展，作为存储中坚的NAND Flash和DRAM技术未来将如何发展？NAND Flash发明者东芝半导体技术统括部存储应用技术经理康敏宣独家披露了未来发展战略。

首先他认为NAND Flash未来的应用领域将更加拓广，“估计今年的NANDFlash总需求量会达到600亿GB。”他指出，“除了在手机平板超极本领域应用外，汽车电子、服务器的应用也很大。”

他表示东芝的策略是不断开发先进的工艺技术来提升产能，缓解供应压力。如东芝是第一家推出19nm产品的公司，“未来，随着工艺技术发展，东芝的发展方向是两个，一个是大容量存储，如19nm工艺产品，不过这个往下发展难度很大，所以，东芝会在明后年推出POST-NAND的产品，也就是3D NAND产品，接下来是POST-POST NAND。另个方向是东芝会投资发展磁阻内存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技术， 它将替代现在的DRAM，磁阻内存和DRAM内存采用了完全不同的原理。DRAM内存用以表示"0"和"1"的方式是判断电容器中的电量多少来进行的，它不仅需要保持通电，还需要周期性地给电容充电才能保证内容不丢。而磁阻内存的存储原理则完全不使用电容，它采用两块纳米级铁磁体，在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构。通过改变两块铁磁体的方向，下面的导体的磁致电阻就会发生变化。电阻一旦变大，通过它的电流就会变小，反之亦然。

他最看好的明星产品是自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“现在手机中的DRAM，断电后不能保存资料，而且功耗很高，但MRAM没有这个问题，而且它的读写速度非常快，而且理论上它的读写刷新是无限的，所以我们非常看好这款产品，我们希望用MRAM代替现在的DRAM。”他指出。

另外他特别强调东芝的所有NAND Flash产品都在日本岩手县有的第五座NAND型闪存(Flash)工厂生产，以确保向市场提供可靠稳定的产品。

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