三安光电6月16日晚间发布公告称，公司拟加码160亿元在长沙投资半导体产业化项目。近年来，三安光电在化合物半导体领域持续发力，长沙项目也是三安光电在泉州三安之后又一个聚焦化合物半导体的项目。

160亿长沙投资

三安光电称，公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。

根据进度，三安光电表示，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。

三安光电与长沙高新技术产业开发区管理委员会于6月15日签署《项目投资建设合同》。具体开发建设产品内容方面，三安光电表示，主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、Si CMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET，不过最终以甲方认可的乙方项目实施主体可研报告为准。

来源：《行家说CEO／CMO季度内参Q4（2019）》

对于本次项目建设，三安光电称，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

连续加码化合物半导体

三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。三安光电起家于LED，但很早就在着手布局集成电路领域。

2017年底时，三安光电曾宣布大手笔投资333亿元建设“泉州芯谷”南安园区·三安高端半导体项目。主要包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目，高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目，大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目的光芒，用于扩大高端化合物半导体产能。

根据当时的项目预计，三安光电称全部项目5年内实现投产，7年内全部项目实现达产。业内预计，333亿元投资达产后年营收约270亿元，是当前三安光电营收的3倍。泉州南安项目也被称为“再造一个三安光电”。根据今年的消息，泉州三安半导体项目于去年年底已开始投产，春节期间没有停工，在前期做好疫情防控的同时，已经逐渐推进项目建设和生产，产能将逐步恢复至计划水平。

三安光电曾在2019年年报中透露，三安集成业务与同期相比呈现积极变化，已取得国内重要客户的合格供应商认证, 各个板块已全面开展合作,全年实现销售收入 2.41 亿元,同比增长 40.67%。砷化镓射频出货客户累计超过90家。氮化镓射频产品重要客户已实现批量生产,产能正逐步爬坡碳化硅功率二极管及MOSFET及硅基氮化镓功率器件，客户累计超过60家，27种产品已进入批量量产阶段光通讯在保持及扩大现有中低速 PD/MPD 产品的市场领先份额外，在附加值高的高端产品如 10G APD/25G PD、以及发射端 10G/25G VCSEL 和 10G DFB 均已在行业重要客户处实现验证通过,进入实质性批量试产阶段滤波器产品开发性能优越,生产线持续扩充及备货中,预计 2020 年会实现销售。

另外，三安光电还是国家集成电路产业投资基金股份有限公司(“大基金”)持股公司，一季报显示大基金持有公司股票约4.61亿股，约占公司总股本的11.30%。同时三安光电还与华芯投资管理有限责任公司（大基金的唯一管理机构）、国家开发银行、福建三安集团有限公司约定四方建立战略合作关系，大力支持公司发展以Ⅲ-V族化合物半导体为重点的集成电路业务。不过最近大基金发布减持公告，拟在未来6个月内减持不超过公司股份总数2%的股票。

行家说产业研究中心认为：第三代半导体（以SiC和GaN为代表）近几年来受到半导体行业极大关注，随着5G、汽车等新市场出现，SiC/GaN不可替代的优势使得相关产品的研发与应用加速。SiC具有“一材两用”的特质：既可以做成SiC器件，也可以作为GaN器件的衬底材料，碳化硅和氮化镓有超过95%的晶格适配度，性能指标远超其他衬底如蓝宝石、硅、砷化镓等。SiC器件正在广泛地被应用在电力电子领域中，典型市场包括轨交、功率因数校正电源（PFC）、风电（wind）、光伏（PV）、新能源汽车（EV/HEV）、充电桩、不间断电源（UPS）等。

三安此次在长沙布局SiC显示了其做大做强第三代半导体的决心，而160亿的投资额目前是远超SiC器件产值的，可见，三安对于SiC市场的预期比很多调研机构都更为乐观。