英特尔公司和美光科技有限公司日前推出了一种名为3D XPoint™的非易失性存储器技术，该技术有潜力对那些得益于快速访问大量数据的任何设备、应用或服务实现革新。现已投入生产的3D XPoint技术是存储器制程技术的一项重大突破，也是自1989 年NAND闪存推出至今的首款基于全新技术的非易失性存储器。

互联设备和数字服务的爆炸式增长产生了大量的新数据。为了让这些数据变得更有价值，必须对这些数据进行非常快速地存储和分析，而这也为设计内存和存储解决方案时必须权衡成本、功耗和性能的服务提供商和系统制造商带来了挑战。3D XPoint技术集当今市场中所有存储器技术在性能、密度、功耗、非易失性和成本方面的优势于一体。与NAND相比，这项技术在速度及耐用性方面均实现了高达1000倍的提升3。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升高达10倍。

“数十年来，业界一直在寻找各种方法来降低处理器和数据之间的延迟，以加快分析速度，”英特尔公司资深副总裁兼非易失性存储器（NVM）解决方案事业部总经理Rob Crooke表示：“这种新型的非易失性存储器将实现这一目标，并为内存和存储解决方案带来颠覆性的性能。”

 “处理器访问长期存储的数据所需的时间成为现代计算中最显著的障碍之一，”美光科技有限公司总裁Mark Adams表示：“作为一种革命性技术，这种新型的非易失性存储器能够支持海量数据集的快速访问并实现全新的应用。”