4月2日晚间，华灿光电披露非公开发行股票预案，拟拟募集资金总额不超过15亿元，投入Mini/Micro LED的研发与制造项目、GaN基电力电子器件的研发与制造项目。

华灿光电认为，公司自设立以来一直从事化合物光电半导体材料与电器件的研发、生产和销售业务，坚持自主研发、技术创新驱动营销的发展战略，持续围绕半导体产业链布局，打造中国高端制造品牌。2012 年，公司完成首次公开发行股票并成功在创业板上市，整体实力、资金实力及品牌效应均得到显著提高，利用上市募集的资金扩大 LED 芯片及外延片产能，长期保持行业内的领先地位。2016 年，公司成功并购云南蓝晶科技，并入蓝宝石单晶、外延衬底以及其他蓝宝石窗口材料业务，向 LED 产业链上游拓展，实现自蓝宝石材料至 LED 芯片垂直一体化的生产模式，增强业务多元化抗风险能力、稳定原料来源、降低采购成本波动率。

全球半导体市场可分为四大细分领域，分别为集成电路、光电子、分立器件和传感器，整体规模超过 4,000 亿美元，并且伴随着下游应用市场的不断丰富而呈现稳健增长的趋势。作为典型的高科技产业，新兴技术的层出不穷均会对半导体产业结构造成巨大影响，同时也带来不同细分市场的存量替代机会。因此，对新兴技术的布局一直是业内企业的重要发展战略和竞争要素，抓住行业趋势、领先对手的策略有助于公司实现超越式发展。

本次非公开发行募集资金所投资的项目方向包括 Mini/Micro LED、GaN 功率器件等，均是公司立足于产业前沿研究、自身技术积累、市场潜在空间等因素综合考量后确定的重点发展方向，亦是公司中长期规划的重点突破领域。

华灿光电表示，Mini/Micro  LED 的研发与制造项目系公司为继续扩大在 LED 芯片领域的竞争优势、巩固 LED 显示屏芯片市场的领先地位而计划实施的投产项目，项目总投资额为 139,267.22 万元，其中拟投入募投资金 120,000.00 万元。Mini/Micro LED 研发的内容主要包括数学建模仿真、器件结构设计、外延工艺开发、芯片工艺开发等；量产的内容主要包括 Mini/Micro LED 厂房及生产线建设，进行 LED 外延片和芯片的生产销售。本项目主要采用自主建设的方式，建设期为三年，计划分三年进行投入，项目建成后，实现年产 95 万片 4 英寸 Mini/Micro LED 外延片。

GaN 基电力电子器件的研发与制造项目产品为中低压系列硅基增强型 p 型栅 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），包括 100V、200V、600/650V 三个电压等级的多种型号，主要面向智能手机、汽车电子、数据中心等市场应用，具有高开关频率、高转换效率、高耐压强度的技术特性。本项目通过器件仿真设计、工艺制程开发、测试失效分析，建立 GaN 功率器件设计和工艺 IP 库。项目建成后，将建立 GaN 功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链，将产品开发、制造与市场需求紧密结合，通过更快的产品迭代和稳定的良品率，以具有相当市场竞争力的性价比，快速推进 GaN 功率器件的大规模产业化。项目建设期三年，计划总投资额 31,641.58 万元，其中拟投入募投资金30,000.00 万元。

华灿光电表示，本次发行募集资金的用途合理、可行，项目符合国家产业政策，是国家鼓励投资的产业。项目建设有利于完善公司业务结构，提升公司综合实力和核心竞争力，促进公司持续、健康发展，符合本公司及本公司全体股东的利益。