美国阿肯色大学从美国国家科学基金会NSF收到了1787万美元经费，用于建造和运营一个美国国家SiC碳化硅研发和制造设施，用以填补美国在这种适合高温环境的半导体集成电路生产上的空白。

众所周知，碳化硅半导体可以节约能源并延长电动汽车的行驶里程。人们对碳化硅的研究由来已久，但也受阻于缺乏高质量的碳化硅晶片。

目前，美国和日本是SiC碳化硅专利国际排名前五位的企业所在地。但美国所有碳化硅制造设施仅满足内部使用，其碳化硅集成电路的研发依赖于国际制造。

Alan Mantooth是阿肯色大学电气工程系著名教授，他将领导该碳化硅研究和制造设施。该设施将提供原理验证演示和设备设计原型制作，并向外部研究人员开放，它将是美国唯一一家开放式制造设施。

Alan Mantooth表示：拥有这样的制造设施对美国的影响是巨大的。美国这个碳化硅半导体设计和制造方面领先全球的国家，也将引领几乎所有使用该项新技术的市场竞争，包括应用于军事的技术，以及对美国经济至关重要的通用电子设备。

美国国家科学基金会NSF投入的资金将用于基础设施建设、设备安装和现有设施的改善，以及三名全职工作人员、一名为期四年的博士后研究员。同时所有学位级别的学生都将可能获得研究机会。

该项目共同主要研究者名单有，著名物理学教授 Greg Salamo；电机工程副教授 Zhong Chen；电气工程部业务和运营经理 Shannon Davis；德克萨斯州卢伯克X-FAB碳化硅技术总监 John Ransom。