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TCL华星赵斌出席SDIA“名家大讲堂”:星曜8K,绽放未来
2020-06-19

近日,由深圳市平板显示行业协会(SDIA)主办的“名家大讲堂”直播在深圳举行,TCL华星LCD开发中心总经理赵斌受邀出席并发表题为“创造精彩 美好视界”的演讲,畅谈显示技术发展及未来趋势。同期直播的大咖还有南方科技大学讲席教授、电子与电气工程系主任孙小卫。

赵斌指出,TCL华星在8K产品布局已取得重大突破,率先在全球最高世代线G11上开发了非晶硅VA 8K 1G1D技术,打造高穿透率、高对比度、高画面品质的8K产品。TCL华星已于今年4月份完成55”/65”/75”60Hz 8K产品对三星等国内外一线品牌客户的量产出货,而120Hz 8K产品预计将于今年第四季度量产入市。

赵斌表示,技术是显示产业最重要的驱动力。为完成8K 1G1D产品的开发,TCL华星突破非晶硅 VA工艺的8K技术瓶颈,做到8K产品规格、技术全球领先,其中穿透率和对比度高出业内竞手10%的水准。

8K高穿透 Hi-HVA技术
    TCL华星Hi-HVA技术是指高穿透的像素设计及智能的算法设计,Hi-HVA技术搭载高速器件设计、快速响应的材料及工厂精准的制程,保证了8K 1G1D产品的设计及制造达到业内最高水准。

放大图片体验4K与8K的区别

TCL华星Hi-HVA技术和传统技术相比有更高穿的像素设计,同时搭载TCL华星自主创新的VAC技术以及高穿透率的器件与材料开发,以绿色节能推动社会进步。

穿透率是指透过LCD的亮度与照射到物体上的总亮度之比,穿透率高可以在较低的背光亮度下达到相同的显示亮度,以实现节能的效果;对比度高可以呈现更多的图像细节和层次感,带来更佳的观影体验。

8K高充电 1G1D技术

8K产品较4K及以下分辨率产品,面临的最大瓶颈就是屏充电率。为提升屏充电率,传统的HG2D技术需要将数据驱动线的数量加倍从而提升充电时间,以4K的充电时间,来实现8K,该方案的缺点是穿透率低,面板线缺陷不良率高等问题。

TCL华星为达成8K 1G1D的架构,开发了数据跟随栅极RC延迟、扫描信号跟随数据RC延迟、行长可变等技术,有效改善面板内栅极和数据线RC延迟带来的影响;与此同时,使用过电压驱动技术补偿数据线电压变化造成的充电不足,在保证充电率的情况下带来画质规格的提升。

8K高频率 CSPI技术

为了实现8K的高速传输,TCL华星首创高频点对点传输技术CSPI。CSPI既是指华星点对点传输协议China Star P2P I/F,又是指中国标准的点对点传输协议China Standard P2P I/F。CSPI 应用在从屏内的TCON时序控制到屏内的源驱动IC的接口,协议包含了编码、解码、扰动等技术。

TCL华星是P2P协议国家标准的起草与制定单位,CSPI作为国标协议,是国内首个自主研发/量产P2P协议。为推动8K显示的发展,TCL华星已开发到可以支持3G2P的CSPI高速数据传输速率,同时,P2P传输方式可以降低电磁干扰,搭配低功耗低散热设计技术,整体降低8K系统电路的复杂度。

CSPI对比传统的mini-LVDS的接口协议,克服了mini-LVDS时钟与数据分离的速度瓶颈,将时钟内嵌在信号内,以很少的传输线,传输数据量更大的8K信号。

CSPI协议已经列入国家标准,是国内首个自主研发及量产的P2P技术,并且可开放给业界所有终端客户、IC厂、面板厂使用。TCL华星突破创新,不断推动8K产业进步。

8K高对比 MLED星曜技术

为了追求至美画质,TCL华星积极布局MLED,首推全球领先的MLED技术,采用非晶硅背板主动驱动背光源,并成功解决产品化难题,搭配TCL华星8K 面板及自主创新Local Diming算法,实现亮暗分区精准控制,动态对比度大于一百万。

除超高的画质表现外,与WOLED产品相比,TCL华星的MLED产品在边框、亮度、使用寿命等方面都更具优势。

TCL华星相信技术创新永无止境,我们不断突破进取,逐步建立了在全球半导体显示领域的竞争优势;未来,TCL华星以“全球领先”作为企业发展战略目标,我们将不断推陈出新,用更极致的技术、更美好的画质拥抱显示产业的新浪潮。

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